FinFET因其具有良好的沟道控制效果,更低的功耗,更好的可微缩特性,已经成为了当今的主流工艺。但由于FinFET器件具有3D特性,其漏源......

半导体功率器件是半导体领域不可缺少的一部分,半导体材料经过几十年的飞速发展,已经迭代到了第三代。其中的GaN因为具有大的禁带......

微区光电流面扫描方法是一种非接触、原位、无损伤的测试方法。本文基于该测试方法对砷掺杂的长波 HgCdTe 红外探测阵列进行了低温......

在过去的几十年中,互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺主导了主流的硅基集成电路技术。随......

β-Ga_2O_3作为一种新型宽禁带半导体材料,因其～4.8 e V的禁带宽度、高达8MV/cm的击穿场强、稳定的物理化学特性,成为了Si C、Ga N......